RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сравнить
AMD R5S38G1601U2S 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
37
Около -95% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
19
Скорость чтения, Гб/сек
15.4
18.7
Скорость записи, Гб/сек
9.2
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2581
3220
AMD R5S38G1601U2S 8GB Сравнения RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link