Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

-->

Средняя оценка

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Причины выбрать
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 18

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 54

Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи

14.1 1,131.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 4200

Около 4.05 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 28
Скорость чтения, Гб/сек

2,710.2 18.0
Скорость записи, Гб/сек

1,131.7 14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 17000

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

399 3537

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

модули RAM

Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB

Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

модули RAM

Kingston 99U5701-036.A00G 16GB

Kingston 99U5701-036.A00G 16GB

Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB

Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB

модули RAM

Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB

Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

модули RAM