RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сравнить
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
54
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
1,131.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,710.2
9.8
Скорость записи, Гб/сек
1,131.7
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2126
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB Сравнения RAM
Mushkin 991556 (996556) 2GB
Kingston 6400DT Series 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link