RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Сравнить
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
47
Около -176% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.6
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
9.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
17
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
21.6
Скорость записи, Гб/сек
9.2
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2323
3702
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link