RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
23
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
17.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
12.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
23
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.7
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2898
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link