RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
23
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
17.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
12.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
23
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.7
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2898
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link