RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Сравнить
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
47
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
9.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
18
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
20.5
Скорость записи, Гб/сек
9.2
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2323
3575
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link