RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сравнить
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
-->
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
47
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.2
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2323
2812
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link