RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Сравнить
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB против Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
-->
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
47
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
9.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
26
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
17.4
Скорость записи, Гб/сек
9.2
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2323
2806
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link