RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против AMD R7S44G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
26
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
20
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
18.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2707
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link