RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
45
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
45
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
11.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2281
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link