RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
12.1
Скорость записи, Гб/сек
9.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2478
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link