RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.5
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3459
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link