RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
82
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
82
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
12.3
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
1930
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link