RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
18.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3825
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link