RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
46
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2453
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link