RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
46
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2453
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link