RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2554
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link