RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
18.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3576
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link