RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
23.7
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
23.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
4124
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link