RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
23.7
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
23.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
4124
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link