Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Gesamtnote
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Gesamtnote
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Unterschiede

Samsung 1600 CL10 Series 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 26
    Rund um 4% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    23.7 left arrow 16.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    18.3 left arrow 10.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 12800
    Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 26
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.1 left arrow 23.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 18.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2764 left arrow 4124
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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