RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
4124
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link