Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Punteggio complessivo
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 26
    Intorno 4% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    23.7 left arrow 16.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    18.3 left arrow 10.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    25 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.1 left arrow 23.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.1 left arrow 18.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2764 left arrow 4124
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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