RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Kingston 9905622-051.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2856
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link