RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2969
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link