RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
76
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
76
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
14.4
Скорость записи, Гб/сек
8.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
1718
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link