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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
76
左右 64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
76
读取速度,GB/s
11.5
14.4
写入速度,GB/s
8.5
7.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
1718
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
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Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
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