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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9965596-035.B00G 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
74
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
7.6
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
38
读取速度,GB/s
4,178.4
7.6
写入速度,GB/s
2,201.1
7.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
1827
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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