RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
76
Autour de 64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
76
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
1718
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link