RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2731
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link