RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB

ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 32
    Около 9% меньшая задержка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.4 left arrow 12.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 8.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.8 left arrow 17.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.9 left arrow 12.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2337 left arrow 3137

ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
модули RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
модули RAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
модули RAM
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
модули RAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
модули RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
модули RAM