RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
8.8
Скорость записи, Гб/сек
8.9
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
10600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2337
1344
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB Сравнения RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link