ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB

ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 30
    Около 3% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.8 left arrow 8.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.9 left arrow 5.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21% выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.8 left arrow 8.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.9 left arrow 5.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2337 left arrow 1344
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения