RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
29
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
5.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2337
1344
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB RAM-Vergleiche
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link