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ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
8.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
5.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
29
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
8.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
5.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2337
1344
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB Comparações de RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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