RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
26
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3938
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link