RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
26
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3938
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link