RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
6.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.1
15.7
Скорость записи, Гб/сек
6.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2113
3318
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB Сравнения RAM
Mushkin 992018 (997018) 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link