RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3402
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link