RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
6.7
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3177
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link