RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
6.7
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2897
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link