RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2226
2880
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M391B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link