RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
6.7
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2545
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link