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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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更快的读取速度,GB/s
15.3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
12.8
15.3
写入速度,GB/s
6.7
11.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2545
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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