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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
87
左右 -135% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
37
读取速度,GB/s
3,155.6
16.3
写入速度,GB/s
870.4
10.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2658
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
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