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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
42
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
35
读取速度,GB/s
9.7
15.1
写入速度,GB/s
6.0
9.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2488
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB RAM的比较
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
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