RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
42
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
35
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
15.1
Скорость записи, Гб/сек
6.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2488
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link