RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
26
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
19.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
13.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
20
26
Скорость чтения, Гб/сек
19.1
19.4
Скорость записи, Гб/сек
13.1
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3252
3648
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Сравнения RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link