RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2829
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link