RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
73
Около 73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
20
73
Скорость чтения, Гб/сек
19.1
15.2
Скорость записи, Гб/сек
13.1
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3252
1843
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Сравнения RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link