RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Сравнить
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около -42% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.0
Скорость записи, Гб/сек
10.3
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2782
1433
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link