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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
34
左右 -42% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
24
读取速度,GB/s
16.0
12.0
写入速度,GB/s
10.3
6.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
1433
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
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Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
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