RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
41
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2385
2374
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link