RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Сравнить
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
39
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.6
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2355
2863
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link